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半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺

摘要

本发明是半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,包括以下工艺步骤:1)低浓度含铜废水投加FeSO4溶液;2)斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液,废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应;3)加入重捕剂进行鳌合反应;4)投加聚丙烯酰胺进行絮凝反应;5)污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离,一部分污泥通过输送至污泥储槽,另一部分输送至管道混合器,进行步骤2)。本发明的优点:针对废水特性,采用FeSO4+重捕剂联合,减少用量,工艺简单,投资成本低廉,免去混凝剂投加,回流污泥添加氢氧化钙,含水率低、密度高,加快污泥沉降,提高斜板沉淀池表面负荷,减少占地面积,不需设置污泥浓缩池。

权利要求书

1.一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,包括以下工艺步骤:

第一步:低浓度含铜废水进入第一反应池,投加质量浓度10%的FeSO4溶液与废水中的双氧水反应,对络合铜进行氧化破络,同时Fe2+直接将络合态的铜进行置换,反应时间25~30min,FeSO4的加药量为进水中总铜质量的5~10倍;

第二步:第一反应池出水溢流进入第二反应池,在系统启动时,向第二反应池中投加氢氧化钙溶液,以维持第二反应池的pH为9~12,当系统运行至斜板沉淀池底部污泥量达到污泥回流量时,第二反应池中停止投加氢氧化钙溶液,污泥回流系统启动,在斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液,废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应,通过控制第二反应池的pH为9~12来反馈控制氢氧化钙的投加量,废水在第二反应池中停留时间控制在10~20min;

第三步:第二反应池出水进入第三反应池,加入重捕剂进行鳌合反应,产生含铜鳌合沉淀,进而将络合态的铜进一步去除,反应时间为15~20min,重捕剂投加量为所述第一反应池进水中总铜质量的3~5倍;

第四步:第三反应池反应结束后,废水进入第四反应池,投加聚丙烯酰胺溶液进行絮凝反应,缓慢搅拌,反应时间5~10min,聚丙烯酰胺的加药量为3~5mg/L;

第五步:污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离,一部分污泥通过排泥泵输送至污泥储槽,另一部分污泥通过回流泵输送至管道混合器,氢氧化钙与回流污泥在管道混合器中混合均匀,形成高密度污泥,进行步骤2)中的回流污泥进入第二反应池与废水进行反应。

2.如权利要求1所述的一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第一步中的低浓度含铜废水中悬浮物含量为20~500mg/L、铜离子浓度为3~15mg/L、络合铜浓度为2~8mg/L、H2O2浓度为200~1500mg/L、pH为2~5、流量为20~40t/h、每天运行24h。

3.如权利要求1所述的一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第二步中污泥回流量为污泥产生量的20~30倍,含钙改质污泥的流量为5~16m3/h。

4.如权利要求1所述的一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第二步中通过控制pH为10~11来反馈控制氢氧化钙的投加量。

5.如权利要求1所述的一种半导体行业低浓度含铜达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第四步中配制的的聚丙烯酰胺溶液质量浓度为0.1%、加药量为60~150L/h。

6.如权利要求1所述的一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第五步中的回流污泥浓度为10%~15%。

7.如权利要求6所述的一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,其特征在于,所述第五步中的回流污泥浓度达到15%时,排泥泵开始工作,回流污泥浓度小于10%时,排泥泵停止工作。

说明书

一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺

技术领域

本发明涉及的是一种半导体行业所产生的低浓度含铜废水达标排放及高效沉降的处理工艺,属于废水处理技术领域。